影响多孔硅孔隙率的因素

功能材料, 2000, 31(2): 139-141.

1.新疆大学物理系

2.电子信息科学系,新疆,乌鲁木齐830046

3.电子信息科学系,新疆,乌鲁木齐830046

4.中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐830011

5.中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐830011

基金项目: 新疆自然科学基金中国科学院资助项目

Influential Factors on Porosity of Porous Silicon

研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.

[1]	方容川等.[J].发光学报,1993,14(02):107.
[2]	Canhan L T .[J].Applied Physics Letters,1990,57(10):1046.
[3]	Petrova-kkoch;Kux A;Muller F et al.[J].MRS Proceedings,1991,256:41.
[4]	沈桂芬 .[J].半导体情报,1998,35(03):29.
[5]	傅献彩.物理化学(下)[M].北京:高等教育出版社,1995:509,542.
[6]	Pankov JI;刘相娜.半导体中的光学过程[M].南京:南京大学出版社,1992:395,379.
[7]	李和委 .[J].半导体情报,1997,34(02):28.
[8]	Zhe Tuchu.[A].,1998:345.

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