Zn2+掺杂对0.965MgTiO3-0.035SrTiO3微波介质陶瓷结构与性能影响研究

硅酸盐通报 , 2013, 32(3): 448-452.

Zn2+掺杂对0.965MgTiO3-0.035SrTiO3微波介质陶瓷结构与性能影响研究

王竹梅 ^1, , 汪婷 ^2, , 李月明 ^3, , 沈宗洋 ^4, , 洪燕 ^5,

1.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333403

2.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333403

3.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333403

4.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333403

5.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333403

基金项目: 江西省教育厅科技项目(GJJ12498,GJJ10562)

关键词：微波介质陶瓷 , 钛酸镁 , 微波介电性能

Effect of Zn2+ Doping on the Structure and Properties of 0.965MgTiO3-0.035SrTiO3 Microwave Dielectric Ceramic

采用固相反应法制备了0.965 MgTiO3-0.035SrTiO3 (MST)微波介质陶瓷,选用Zn2+对MST陶瓷进行了A位离子掺杂,研究了不同Zn2+掺杂量对陶瓷烧结性能、晶相组成、显微结构及微波介电性能的影响.结果表明,Zn2的掺入促进了陶瓷的烧结,显著提高了陶瓷的致密度,且没有改变陶瓷的主晶相.在掺杂量小于0.04mol％范围内,随着Zn2+掺杂量的增加,陶瓷的介电常数增加,品质因素和频率温度系数略有降低.中间相MgTi2 O5的衍射峰强度随着Zn2+掺杂量的增加逐渐减弱直至完全消失.当Zn2掺杂量为x=0.03时,陶瓷的烧结温度由1380℃降低至1290℃,并呈现优异的微波介电性能:εr=22.51,Q×f=16689 GHz,τf=-4.52×10-6/℃.

参考文献

[1]	H. T. Kim;S. Nahm .Low-fired (Zn,Mg)TiO3 microwave dielectrics[J].Journal of the American Ceramic Society,1999(12):3476-3480.
[2]	Kim ES.;Park HS.;Yoon KH. .Porosity dependence of microwave dielectric properties of complex perovskite (Pb0.5Ca0.5)(Fe0.5Ta0.5)O-3 ceramics[J].Materials Chemistry and Physics,2003(2/3):213-217.
[3]	曹良足,喻佑华.钛酸锌微波介电陶瓷的改性研究现状[J].电子元件与材料,2008(02):5-7.

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