CVD温度对钽沉积层性能的影响

稀有金属材料与工程, 2012, 41(11): 2037-2040.

CVD温度对钽沉积层性能的影响

蔡宏中 ^1, , 魏巧灵 ^2, , 魏燕 ^3, , 陈力 ^4, , 郑旭 ^5, , 胡昌义 ^6,

1.昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,云南昆明650106

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基金项目: 云南省自然科学基金(2010zc251) 国家自然科学基金(50171031)

关键词：化学气相沉积 , 钽 , 组织 , 性能

Effect of Chemical Vapor Deposition Temperature on Properties of Tantalum Coatings

介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属钽涂层的原理及方法.采用冷壁式化学气相沉积法,在钼基体上沉积出难熔金属钽层.分析研究了CVD温度对沉积层的沉积速率、组织、结构和硬度等的影响.结果表明:在1000～1200℃温度范围,沉积速率随温度升高而增大 ;当温度超过1200℃时,沉积速率随温度的升高反而略有减小 ;沉积层组织呈柱状晶并随温度的升高逐渐增大 ;沉积层的硬度及密度随温度的升高而逐渐降低.化学气相沉积钽的最佳温度在1100℃左右.

参考文献

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