欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

通过大量实验,对不同Sr/Ba比制作的SBBT高压陶瓷电容器的击穿特性进行了研究,指出瓷体中的局部还原现象是造成电容器瓷片击穿场强严重下降的原因所在.经过理论分析,提出施主离子Bi3+在固溶体中的不均匀分布导致瓷体还原的新观点.在此基础上,通过加入受主离子Mg2+克服了还原现象,使电容器的击穿场强大幅度提高.

参考文献

[1] 尚振球;郭文元.高压电器[M].西安:西安交通大学出版社,1992:49-50.
[2] Daniels J;Hardtl K H;Part I .Electrical Conductivity at High Temperature of Donor-Doped Barium Titanate Ceramics[J].Philips Research Reports,1976,31:489-504.
[3] Qi JQ.;Zhang ZT.;Tang ZL.;Chen WP. .ACCEPTOR COMPENSATION IN (SB,Y)-DOPED SEMICONDUCTING BA1-XSRXTIO3[J].Journal of Materials Science,1997(3):713-717.
[4] Yamada A.;Chiang YM. .NATURE OF CATION VACANCIES FORMED TO COMPENSATE DONORS DURING OXIDATION OF BARIUM TITANATE[J].Journal of the American Ceramic Society,1995(4):909-914.
[5] Chan N H;Smyth D M .Defect Chemistry of Donor-Doped BaTiO3[J].Journal of the American Ceramic Society,1984,67(04):285-288.
[6] Srikanth Gopalan;Anil V Virkarl .Interdiffusion and Kirkendall Effect in Doped Barium Titanate Diffusion Couples[J].Journal of the American Ceramic Society,1995,78(04):993-998.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%