通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析.其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间:Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散;上述两者的有机结合,使Ga原子通过理想表面扩入硅体,从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果.
参考文献
| [1] | 裴素华 et al.[P].CN 87101375,1987. |
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| [5] | 刘秀喜,赵富贤,薛成山,孙瑛,华士奎.采用SiO2/Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究[J].半导体学报,1995(03):235. |
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| [7] | 高延促.半导体器件制造工艺[M].天津:天津科学技术出版社,1984:108. |
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