化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素.本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征.进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性.结果表明抛光液中Al2O3粒子用量、氧化剂用量均直接影响抛光后的表面质量及材料去除速率.借助对抛光后表面的原子力显微镜(AFM)、俄歇能谱以及X射线光电子能谱分析,对其CMP机理进行了推断.
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