以高纯W-Si合金粉(＞99.995％)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材.研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响.结果表明,烧结温度在1350～1380℃,热压压力25～30MPa,保温时间1.5～2 h,可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100 μm以内的高性能W-Si合金靶材.
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