丝网印刷B-Li玻璃掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜介电性能研究

功能材料, 2009, 40(5): 767-770.

丝网印刷B-Li玻璃掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜介电性能研究

王思维 ^1, , 翟继卫 ^2, , 丑修建 ^3, , 姚熹 ^4,

1.同济大学,功能材料研究所,上海,200092

2.同济大学,功能材料研究所,上海,200092

3.同济大学,功能材料研究所,上海,200092

4.同济大学,功能材料研究所,上海,200092

基金项目: 高等学校科技创新工程重大项目培育基金(707024) 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2002CB613304)

关键词： BST厚膜 , 丝网印刷 , 介电性能 , 可调性

Screen printing B-Li glass doped Ba0.5Sr0.5TiO3 thick film and its dielectric properties

钛酸锶钡(BST)陶瓷材料在外置偏压直流电场作用下,具有高的介电可调性,可以广泛地应用于电可调陶瓷电容器以及无源可调微波器件的设计与开发.通过B-Li玻璃的有效掺杂,实现BST陶瓷材料与Ag、Cu贱金属电极材料的低温友好烧结,是发展混合集成厚膜电路的技术要求.主要采用丝网印刷工艺,在Al2O3陶瓷衬底上,制备了B-Li玻璃掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜材料,并对其最佳烧结温度、物相结构、显微形貌以及介电性能进行了研究.结果表明,B-Li玻璃掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜材料在950℃可以实现低温烧结,得到了厚度为20μm的均匀致密厚膜材料;相比于BST陶瓷块体材料,5%(质量分数)B-Li玻璃掺杂BST厚膜的居里峰发生了明显的弥散和宽化,介电常数显著降低;在室温和10kHz频率下,其介电常数为210,介电损耗为0.0037,介电可调性可达15%以上,可以适用于厚膜混合集成电路与可调器件的设计和开发.

参考文献

[1]	Diamond H .[J].Journal of Applied Physics,1961,32:909-915.
[2]	Johnson K M .[J].Journal of Applied Physics,1962,33(09):2826-2831.
[3]	Sengupta Louise C;Somnath S .[J].IEEE Transactions,1997,44(04):792-797.
[4]	Chang W;Sengupta L .[J].Journal of Applied Physics,2002,92:3941-3946.
[5]	Zhanga L L;Wangb X S;Yang W et al.[J].Journal of Applied Physics,2008,104:014104-0141-5.
[6]	Chou Xiujian;Zhai Jiwei;Yao Xi .[J].Applied Physics Letters,2007,91:122908-1221-3.
[7]	丑修建,翟继卫,孙建英,姚熹.B2O3-Li2O掺杂低温烧结Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的介电性能[J].硅酸盐学报,2007(02):149-153.
[8]	陈国华,刘心宇.低温烧结玻璃/陶瓷复合材料的微结构及性能[J].硅酸盐学报,2006(08):956-961.
[9]	Bruce A D;Cowley R A .[J].Advances in Physics,1980,29(01):219-321.
[10]	Blinc R;Zeks B.Soft Modes in Ferroelectrics and Antiferroelectrics[M].Amsterdam:North-Holland Publ.Co,1974

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网