基于局域密度泛函理论, 结合赝势方法, 研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质. 研究结果表明, H原子填入ZrV2晶胞中的2 Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定, 填入1 Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之, 填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差; 吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变; 随含H量增大, 晶格常数增大; 当H/ ZrV2小于2.0时, ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力. H在ZrV2合金中的固溶度小, p-C坪台长, 室温平衡压低, 有利于贮存氢同位素.
参考文献
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