利用有限元方法对硅单晶Czochralski(Cz)法生长炉内的流动和传输过程进行了全局数值模拟,研究了表面张力温度系数对硅单晶生长过程的影响,模拟的表面张力温度系数范围是(0～0.35)×10-3N/m·K.结果表明:随着表面张力温度系数的增加,由Marangoni效应驱动的熔体表面流动能强化熔体的自然对流,从而减小了通过熔体自由界面的温差,降低了加热器的功率.但是,结晶界面更凸向熔体,在结晶界面处晶体内的轴向温度梯度减小;对常规Cz炉,结晶界面处的平均氧浓度先减小然后增大,而对于具有气体导板的Cz炉,Marangoni效应总是使结晶界面处的平均氧浓度减小.
参考文献
| [1] | A.Lipchin, R.A.Brown, J. Crystal Growth, 205, 71(1999) |
| [2] | J.S.Kim, T.Y.Lee, J. Crystal Growth, 219, 205(2000) |
| [3] | S.Kawanishi, S.Togawa, K.Izunome, K.Terashima, S.Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5885(1995) |
| [4] | I.Kanda, T.Suzuki, K.Kojima, J. Crystal Growth, 166, 669(1996) |
| [5] | H.Nakanishi, M.Watanabe, K.Terashima, J. Crystal Growth, 236, 523(2002) |
| [6] | P. Sabhapathy, M.E.Salcudean, J. Crystal Growth, 113, 164(1991) |
| [7] | H.T.Chung, S.C.Lee, J.K.Yoon, J. Crystal Growth, 163, 249(1996) |
| [8] | K.Kakimoto, J. Crystal Growth, 230, 100(2001) |
| [9] | LI Yourong, RUAN Dengfang, PENG Lan, WU Shuangying, Chinese Journal of Materials Research, 18(2),212(2004)(李友荣,阮登芳,彭岚,吴双应,材料研究学报,18(2),212(2004)) |
| [10] | LI Yourong, RUAN Dengfang, PENG Lan, WU Shuangying, Chinese Journal of Materials Research, 18(2),219(2004)(李友荣,阮登芳,彭岚,吴双应,材料研究学报,18(2),219(2004)) |
| [11] | LI Yourong, YU Changjun, LI Mingwei, WU Shuangying, PENG Lan, Chinese Journal of Materials Research,19(3), 249(2005)(李友荣,余长军,李明伟,吴双应,彭岚,材料研究学报,19(3),249(2005)) |
| [12] | S.Kimura, K.Terashima, J. Crystal Growth, 180, 323(1997) |
| [13] | K.Mukai, Z.Yuan, K.Nogi, T.Hibiya, ISIJ International, 40, S148(2000) |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%