用磁控溅射方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜, 通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化, Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布, 四点探针测试退火前后薄膜电阻率. 结果表明: 退火后111Au与200Au衍射强茺相对比值减小; 薄膜表面电阻率异常增大; 退火湿度越高, 薄膜表面电阻率越大. 分析认为主要是由于Ni, Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.
参考文献
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