Si0.75Ge0.25虚衬底上应变补偿Si/Si0.61Ge0.38量子阱发光

材料科学与工程学报, 2009, 27(1): 146-149.

Si0.75Ge0.25虚衬底上应变补偿Si/Si0.61Ge0.38量子阱发光

廖凌宏 ^1, , 周志文 ^2, , 李成 ^3, , 陈松岩 ^4, , 赖虹凯 ^5, , 余金中 ^6, , 王启明 ^7,

1.厦门大学物理系,福建,厦门,361005

2.厦门大学物理系,福建,厦门,361005

3.厦门大学物理系,福建,厦门,361005

4.厦门大学物理系,福建,厦门,361005

5.厦门大学物理系,福建,厦门,361005

6.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验窒,北京,361005

7.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验窒,北京,361005

基金项目: 国家自然科学基金赍助项目(60676027;50672079) 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB613400)

关键词：低维无机非金属材料 , 量子阱 , 光致发光谱 , 弛豫缓冲层

Luminescence of Strain Compensated Si/Si0.62 Ge0.38 Quantum Well Grown on Si0.75 Ge0.25 Virtual Substrate

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.

参考文献

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