Ni-Al-V合金DO22相间有序畴界面的微观相场模拟

稀有金属材料与工程, 2009, 38(6): 962-966.

Ni-Al-V合金DO22相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 ^1, , 王永欣 ^2, , 陈铮 ^3, , 董卫平 ^4, , 来庆波 ^5, , 张利鹏 ^6,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

6.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安 710072

基金项目: 国家自然科学基金(50071046) 陕西省自然科学基金(2003E106)

关键词：有序界面 , 成分偏聚 , DO22(Ni3V)相 , 微观相场 , Ni-Al-V合金

Simulation of Ordered Domain Interfaces Formed between DO22 Phases in Ni-Ai-V Alloy Using Microscopic Phase-Field Model

利用微观相场动力学模型模拟Ni-A1-V合金沉淀过程中DO22(Ni3V)相沿[100]和[001]方向形成的有序畴界面,对界面结构及其界面处合金元素的成分进行了研究.结果表明:DO22相沿[100]和[00l]方向形成3种稳定界面,且都不可以迁移;界面性质与界面结构有关,(002)//(100)界面处易析出上J12相,主要存在于沉淀早期;(002)//(100)·1/2[100]界面在沉淀后期易形成一种过渡界面;{110}孪晶界面则是三类界面中相对常见和稳定的界面;合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,在所有的界面处V原子贫化而Ni原子偏聚,Al原子在(002)//(100)·1/2[100]界面处贫化,在其它界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度也不一样.

参考文献

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