生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

功能材料, 2008, 39(10): 1605-1607.

生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

郭杰 ^1, , 孙维国 ^2, , 陈慧娟 ^3, , 彭震宇 ^4, , 鲁正雄 ^5, , 郝瑞亭 ^6, , 周志强 ^7, , 许应强 ^8, , 牛智川 ^9,

1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

2.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

3.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

4.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

5.中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009

6.中科院半导体研究所,北京,100083

7.中科院半导体研究所,北京,100083

8.中科院半导体研究所,北京,100083

9.中科院半导体研究所,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(60607016;60625405)

关键词： InAs/GaSb , XRD , 生长温度 , 界面

Effect of growth temperature on crystal quality and surface morphology of InAs/GaSb superlattices

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长InAs(4ML)/GaSb(8ML)超晶格(SLs).研究了生长温度(400～440℃)对超晶格晶体结构和表面形貌的影响.结果表明,420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小,其荧光光谱(PL)峰值波长在约2.54μm处,响应光谱50%截止波长在约2.4μm处.通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面,并发现生长温度强烈影响混合界面InAs/GaSb超晶格结构和表面形貌,而对InSb界面超晶格的影响较小.

参考文献

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