Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

人工晶体学报, 2012, 41(2): 306-311.

Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

郑昕 ^1, , 杜园园 ^2, , 王涛 ^3, , 介万奇 ^4, , 齐阳 ^5, , 栾丽君 ^6,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072;西北工业大学材料学院,西安710072

6.长安大学材料科学与工程学院,西安710061

基金项目: 国家自然科学基金(50872111;50902113;50902114) 国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB610406) 西北工业大学基础研究基金中国111项目(B08040) 西北工业大学凝固技术国家重点实验室研究基金

关键词： Cd0.9Mn0.1Te晶体 , Te溶剂-Bridgman法 , 红外透过率 , 电阻率 , 位错

Study on Cd0.9Mn0.1Te Growth Behavior by Te Solvent-Bridgman Method

采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.

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