氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响

功能材料, 2008, 39(2): 331-333.

氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响

庄惠照 ^1, , 胡丽君 ^2, , 薛成山 ^3, , 薛守斌 ^4,

1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

2.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

3.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

4.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

基金项目: 国家自然科学基金(90201025;90301002)

关键词： Ga2O3/Al膜 , GaN 纳米棒 , 氨化 , 磁控溅射

Effect of different annealing temperature on the fabrication of GaN nanostructures by ammoniating the Ga2O3/Al films on Si substrates

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒.

参考文献

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氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响

Effect of different annealing temperature on the fabrication of GaN nanostructures by ammoniating the Ga2O3/Al films on Si substrates

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