化学气相沉积法生长石墨烯的研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1620-1625.

化学气相沉积法生长石墨烯的研究

史永贵 ^1, , 王东 ^2, , 张进成 ^3, , 张鹏 ^4, , 史学芳 ^5, , 郝跃 ^6,

1.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

2.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

3.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

4.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

5.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

6.西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体材料与器件国家重点实验室,西安710071

关键词：石墨烯 , 化学气相沉积 , 表面粗糙度 , 生长温度 , 冷却速率

Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method

Keywords： graphene , chemical vapor deposition , surface roughness , growth temperature , cooling rate

以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度.因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要.而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯.

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Study on the Growth of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method

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