退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响

功能材料, 2011, 42(6): 1001-1003.

退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响

王果 ^1, , 卢景霄 ^2, , 李新利 ^3, , 高海波 ^4, , 焦岳超 ^5, , 李瑞 ^6,

1.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052

2.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052

3.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052

4.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052

5.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052

6.郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;河南工业大学,河南,郑州,450051

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601)

关键词： p型微晶硅 , 退火 , PECVD , 晶化率 , 表面粗糙度

Effect of annealing on the properties of boron doped μc-Si：H by RF-PECVD

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜.随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的P型微晶硅薄膜进行了退火处理.研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化.退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加.其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高.

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