采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化.镀液配方为:NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L,NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L,CH3COONa 5 g/L,C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L.讨论了工艺参数对镀层性能的影响,通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力,运用扫描电镜结合X射线能谱仪(SEM-EDXA)及X射线衍射仪(XRD)对镀层的形貌、组成和结构进行了分析.结果表明,在80 ～ 85℃下反应10 min,所得到的镍镀层均匀致密,与半导体结合良好,其中Ni和P元素的质量分数分别为90.94％和9.06％.
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