SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展

功能材料与器件学报 , 2012, 18(5): 403-411.

SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展

徐光明 ^1, , 郭宇锋 ^2, , 花婷婷 ^3, , 徐跃 ^4, , 吉新春 ^5,

1.南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210003

2.南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210003

3.南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210003

4.南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210003

5.南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210003

基金项目: 国家自然科学基金项目(资助号:60806027,61076073) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ201011)

关键词： LDMOS , 超薄SOI , 界面电荷 , 低k介质 , 纵向耐压

Progress in the Research of Vertical Voltage-Sustaining Technology in SOI LDMOS Device

SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键.本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因；然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理；而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点；最后对未来技术的发展进行了展望.

参考文献

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