钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

人工晶体学报, 2014, 43(1): 188-192.

钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

陈俊 ^1, , 王希恩 ^2, , 严非男 ^3, , 梁丽萍 ^4, , 耿滔 ^5,

1.上海理工大学理学院,上海200093

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4.上海理工大学理学院,上海200093

5.上海理工大学理学院,上海200093

基金项目: 国家自然科学基金(61008044)

关键词：模拟计算 , CdMoO4晶体 , GULP , 本征点缺陷

Computer Simulating Calculation of Intrinsic Defects in CdMoO4 Crystal

CHEN Jun ^1, , WANG Xi-en ^2, , YAN Fei-nan ^3, , LIANG Li-ping ^4, , GENG Tao ^5,

1.上海理工大学理学院,上海200093

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3.上海理工大学理学院,上海200093

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Keywords： simulating calculation , CdMoO4 crystal , GULP , intrinsic defect

本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.

参考文献

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