欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

以自蔓延高温合成(SHS)的AlN粉体为原料,以Y203-B20O-CaF2和YF3-B-CaF2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AIN陶瓷.结果表明,采用烧结助剂,在1750℃、压力为35 MPa、保温2 h的烧结条件下,可获得相对密度均98.8%、热导率为95W/(m·K)的AIN烧结体.通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在.对AlN陶瓷进行后续热处理可提高其热导率,这主要是由于后续热处理后AlN陶瓷的晶界比较干净、AlN晶粒间呈直接结合而晶界相呈孤岛状分布.

参考文献

[1] Hafidi M;Billy J P .[J].Journal of Materials Science,1992,27:3405.
[2] Kasori M;Shinozaki K;Mizutani N et al.[J].Journal of the European Ceramic Society,1995,15:435.
[3] Komeya K .[J].Seramikkusn,1985,20(06):506.
[4] Hafidi M B et al.[J].Journal of Materials Science,1992,27:3405.
[5] Slack G A .[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,1973,34:321.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%