以自蔓延高温合成(SHS)的AlN粉体为原料,以Y203-B20O-CaF2和YF3-B-CaF2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AIN陶瓷.结果表明,采用烧结助剂,在1750℃、压力为35 MPa、保温2 h的烧结条件下,可获得相对密度均98.8%、热导率为95W/(m·K)的AIN烧结体.通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在.对AlN陶瓷进行后续热处理可提高其热导率,这主要是由于后续热处理后AlN陶瓷的晶界比较干净、AlN晶粒间呈直接结合而晶界相呈孤岛状分布.
参考文献
[1] | Hafidi M;Billy J P .[J].Journal of Materials Science,1992,27:3405. |
[2] | Kasori M;Shinozaki K;Mizutani N et al.[J].Journal of the European Ceramic Society,1995,15:435. |
[3] | Komeya K .[J].Seramikkusn,1985,20(06):506. |
[4] | Hafidi M B et al.[J].Journal of Materials Science,1992,27:3405. |
[5] | Slack G A .[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,1973,34:321. |
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