SiC单晶片切割力的广义预测控制

兵器材料科学与工程 , 2016, 39(2): 42-46.

SiC单晶片切割力的广义预测控制

梁列 ^1, , 李淑娟 ^2, , 王嘉宾 ^3, , 麻磊 ^4,

1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048

2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048

3.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048

4.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048

基金项目: 国家自然科学基金项目(51175420) 西安市自然科学基金项目(GX1506)

关键词：广义预测控制 , 切割力 , 加工效率 , 表面质量 , SiC单晶片

Generalized predictive control of cutting force for SiC monocrystal wafer

Keywords： generalized predictive control , cutting force , cutting efficiency , surface quality , SiC wafer

SiC单晶因优良的物理和力学性能而大量用于大功率器件和IC行业,但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得困难.基于进给量与切割力的差分方程,设计广义预测控制器控制切割力.结果表明:所设计控制器能够很好地跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性;相比与普通的切割过程,能够提高加工效率,并获得较好的加工表面.

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Generalized predictive control of cutting force for SiC monocrystal wafer

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