升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

人工晶体学报, 2013, 42(5): 847-850.

升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

刘熙 ^1, , 高攀 ^2, , 严成锋 ^3, , 孔海宽 ^4, , 忻隽 ^5, , 陈建军 ^6, , 施尔畏 ^7,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

6.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

7.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

基金项目: 中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目

关键词：碳化硅 , 生长速率 , 有限元

Effects of Temperature Rising Program on the Graphitization of Seed Crystal during the Initial Growth of 6H-SiC Crystal

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间；中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应；同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.

参考文献

[1]	R. V. Drachev;D. I. Cherednichenko;I. I. Khlebnikov .Graphitization of the Seeding Surface during the Heating Stage of SiC PVT Bulk Growth[J].Materials Science Forum,2003(0):99-102.
[2]	B.Pelissier;C.Moulin .Seed Surface Preparation for SiC Sublimation Growth[J].Materials Science Forum,2000(0):47-50.
[3]	Walt A. de Heer;Claire Berger;Xiaosong Wu;Phillip N. First;Edward H. Conrad;Xuebin Li;Tianbo Li;Michael Sprinkle;Joanna Hass;Marcin L. Sadowski .Epitaxial graphene[J].Solid State Communications,2007(1/2):92-100.
[4]	Xi Liu;Er-Wei Shi;Li-Xin Song;Zhi-Zhan Chen .Effects of graphitization of the crucible on silicon carbide crystal growth[J].Journal of Crystal Growth,2008(19):4314-4318.

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Effects of Temperature Rising Program on the Graphitization of Seed Crystal during the Initial Growth of 6H-SiC Crystal

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