R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能

功能材料, 2004, 35(z1): 1447-1449.

R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能

李竹影 ^1, , 宋玉苏 ^2, , 刘祖黎 ^3, , 姚凯伦 ^4,

1.华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074;海军工程大学文理学院,湖北,武汉,430033

2.海军工程大学文理学院,湖北,武汉,430033

3.华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074

4.华中科技大学物理系,湖北,武汉,430074

关键词：氧化钨薄膜 , 电致变色 , r.f.磁控溅射

The behaviors of tungsten oxide thin films prepared by r.f. magnetic sputter

由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构.

参考文献

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