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利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响.结果表明,在500 ℃/4 h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性.利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低.当抛光液中含1%(质量分数,下同)二氧化锡、1%过硫酸铵、1%酒石酸和3 mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24 kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8 nm/min和4.8 nm.

参考文献

[1] Chang C J;Chieh C M .[J].Thin Solid Films,1998,335:146.
[2] Yang W L;Wu W F;Liu D G et al.[J].Solid-State Electronics,2001,45:149.
[3] Perng D C;Hsu K C;Tsai S W et al.[J].Microelectronic Engineering,2010,87:365.
[4] Perng D C;Yeh J B;Hsu K C .[J].Applied Surface Science,2008,254:6059.
[5] Choi B H;Lim Y H;Lee J H et al.[J].Microelectronic Engineering,2010,87:1391.
[6] Xie Q;Jiang Y L;Musschoot J et al.[J].Thin Solid Films,2009,517:4689.
[7] Li J;Lu H S;Wang Y W et al.[J].Microelectronic Engineering,2011,88:635.
[8] Gorantla V R K;Emery S B;Pandija S et al.[J].Materials Letters,2005,59:690.
[9] Prasad Y N;Ramanathan S .[J].Electrochimica Acta,2007,52:6353.
[10] Jeong J Y;Lee W G .[J].Electrochemical and Solid State Letters,2003,6:45.
[11] Chapelon L L;Chaabouni H;Imbert G et al.[J].Microelectronic Engineering,2008,85:2098.
[12] Lee W J;Park H S .[J].Applied Surface Science,2004,228:410.
[13] Kim I K;Kang Y J;Kwon T Y et al.[J].Electrochemical and Solid State Letters,2008,11:150.
[14] Chu X F;Li X J;Dong Y P et al.[J].Key Engineering Materials,2012,499:33.
[15] Chu X F;Han Y L;Zhou S M et al.[J].Ceramics International,2010,36:2175.
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