Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

功能材料, 2006, 37(9): 1389-1391.

Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

常方高 ^1, , 李涛 ^2, , 葛永霞 ^3, , 袁延忠 ^4, , 荆西平 ^5,

1.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007

2.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007

3.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007

4.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007

5.北京大学,化学与分子工程学院,稀土化学与应用国家重点实验室,北京,100871

基金项目: 国家自然科学基金(60571063) 留学归国家基金(教外司留[2005]55)

关键词：掺杂 , 介电常数 , 介电损耗 , 居里点

Dielectric properties of BaTiO3 ceramics doped with Gd and Sn

通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.

参考文献

[1]	Zheng H;Wang J et al.[J].Science,2004,303(5658):661-663.
[2]	Li Zhicheng;Zhang Hong;Zou Xiaodong et al.[J].Materials Science and Engineering B,2005,116:34-39.
[3]	Lee J S;Park J S;Kim J S et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1999,38:574-576.
[4]	Li Baorang;Wang Xiaohui;Li Longtu .[J].Materials Chemistry and Physics,2002,78:292-298.
[5]	Adikary SU.;Chan HLW. .Compositionally graded BaxSr1-xTiO3 thin films for tunable microwave applications[J].Materials Chemistry and Physics,2003(2/3):157-160.
[6]	杭联茂,姚熹,魏晓勇.Nb或La掺杂的Ba（Ti0.9Sn0.1）O3基陶瓷的介电性能[J].功能材料,2004(z1):1320-1321,1326.
[7]	Wei J Z;Zhang L Y;Yao X .[J].American Ceramic Society,1999,82(09):2551.
[8]	Chen C Y;Tuan W H .[J].Journal of Materials Science Letters,1999,18:353.
[9]	丁士文;马广成;郭香会 .[J].功能材料,1999,30(01):49-50.
[10]	米庆;唐子龙;张中太 .[J].功能材料,1999,30(03):290-292.
[11]	West A R.Solid State Chemistry and Its Applications[M].New Dew Delhi:John Wiley Sons Ltd,1984
[12]	陈敬中.现代晶体化学--理论与方法[M].北京:高等教育出版社,2001

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

Dielectric properties of BaTiO3 ceramics doped with Gd and Sn

参考文献