KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响

材料热处理学报, 2014, 35(8): 189-193.

KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响

刘婷婷 ^1, , 刘向东 ^2, , 张雅萍 ^3, , 车广东 ^4, , 吕凯 ^5,

1.内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051

2.内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051

3.内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051;内蒙古化工职业技术学院,内蒙古呼和浩特010011

4.内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051

5.内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051

基金项目: 内蒙古高等学校科学研究项目(NJZY11254)

关键词：微弧氧化 , 负向电压 , ZAlSi12Cu2Mg1 , 陶瓷膜

Effects of negative voltage on coatings formed on ZAlSi12Cu2Mg1 alloy by MAO in KOH electrolyte system

Keywords： micro-arc oxidation , reverse voltage , ZAlSi12Cu2Mg1 , ceramic coating

负向电压对微弧氧化陶瓷膜形成有极其重要的影响.电解液组成变化时,负向电压也必须作相应调整,才能确保微弧氧化过程的稳定和氧化膜的质量.在含mSiO2·nH2O的KOH复合电解液中,在负向电压60 ～ 140 V的条件下对ZAlSil2Cu2Mg1合金进行微弧氧化.采用电涡流测厚仪、SEM和XRD对陶瓷膜进行表征,研究了负向电压对厚度、表面形貌、相组成及耐磨性的影响.结果表明:随着负向电压增大,膜厚增加,膜层中有显微裂纹存在;负向电压为120 V时,膜厚达到186.7 μm,耐磨性好.膜层主要由Mullite及α-Al2O3相组成,但衍射谱中α-Al2O3相峰强较高.

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