选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

人工晶体学报, 2013, 42(8): 1537-1542.

选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

王正鑫 ^1, , 卢文壮 ^2, , 黄群超 ^3, , 王晗 ^4, , 胥军 ^5, , 左敦稳 ^6,

1.南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016

2.南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016

3.南京航空航天大学机电学院,南京210016

4.南京航空航天大学机电学院,南京210016

5.南京航空航天大学机电学院,南京210016

6.南京航空航天大学机电学院,南京210016

基金项目: 教育部博士点基金项目(20113218110018) 国家自然科学基金(51075211、51275230) 江苏省高校优势学科建设工程资助项目

关键词：金刚石 , 碳化硅 , 氯气 , 热力学 , 选择性刻蚀

Preparation of Silicon Carbide Derived Diamond by Selective Etching

WANG Zheng-xin ^1, , LU Wen-zhuang ^2, , HUANG Qun-chao ^3, , WANG Han ^4, , XU Jun ^5, , ZUO Dun-wen ^6,

1.南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016

2.南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016

3.南京航空航天大学机电学院,南京210016

4.南京航空航天大学机电学院,南京210016

5.南京航空航天大学机电学院,南京210016

6.南京航空航天大学机电学院,南京210016

Keywords： diamond , silicon carbide , chlorine , thermodynamics , selective etching

在高温下Cl2+ H2体系可促使SiC转化为金刚石.论文从热力学角度分析了Cl2选择性亥蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围.建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制.

参考文献

[1]	张聪聪,戴玮,朱宁,尹振超,吴小国,曲长庆.直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究[J].人工晶体学报,2012(05):1205-1210.
[2]	袁佳晶,卢文壮,王红军,徐锋,左敦稳.基于模型复制法的金刚石微结构制备研究[J].人工晶体学报,2010(05):1141-1145.
[3]	李彬,闫占奇,李浩,韩晓泉,吕反修,陈广超,李宏.直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究[J].人工晶体学报,2012(02):279-283.
[4]	Sascha Welz;Michael J. McNallan;Yury Gogotsi .Carbon structures in silicon carbide derived carbon[J].Journal of Materials Processing Technology,2006(1/3):11-22.
[5]	刘仁智.氯化氢合成炉的比较[J].中国氯碱,2008(07):17-19.
[6]	Hwang NM.;Yoon DY.;Hahn JH. .CHARGED CLUSTER MODEL IN THE LOW PRESSURE SYNTHESIS OF DIAMOND[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/2):55-68.
[7]	Nong M. Hwang;Doh-Y. Kim .Low-pressure synthesis of diamond without hydrogen: approach by charged cluster model[J].Journal of Crystal Growth,2000(1):40-44.

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