高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层

稀有金属材料与工程, 2009, 38(z1): 411-414.

高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层

李果 ^1, , 蒲明华 ^2, , 孙瑞萍 ^3, , 王文涛 ^4, , 张欣 ^5, , 武伟 ^6, , 雷鸣 ^7, , 张红 ^8, , 杨烨 ^9, , 程翠华 ^10, , 赵勇 ^11,

1.西南交通大学,磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川,成都,610031

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基金项目: 国家杰出青年科学基金(50588201) 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB616906) 国家自然科学基金(50672078)

关键词： CeO2缓冲层 , 高分子辅助 , 化学溶液沉积

Polymer-Assisted Chemical Solution Deposition for the Preparation of CeO2 Buffer Layer for Coated Conductors

分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.

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