多晶硅是主要功能半导体材料.磷作为主要施主杂质,其含量直接影响多晶硅的半导体性能.多晶硅制备普遍采用改良西门子工艺,在密闭、复杂的动态工艺系统中,磷存在的化合物、含量及转化,无法实际有效掌握、但又非常重要;利用Aspen plus等软件对流程中主要的工艺系统模拟计算,并结合热力学反应分析,研究磷的分布规律、存在形式和量化含量;研究发现磷的主要化合物类型除PCl3,在还原或氢化炉这种高温、富氢条件下,PCl3会转化成PH3.在还原过程中磷存在富集效应.尾气回收解析塔解析效果的好坏影响着磷去除效果.研究结果表明,若要使还原多晶硅产品符合国标太阳能三级磷≤7.74ppba的要求,则对本文建立的模拟工艺流程,需要精馏前、后的SiHCl3中P应分别≤2557 ppbw和1.79ppbw.
参考文献
| [1] | 梁骏吾.电子级多晶硅的生产工艺[J].中国工程科学,2000(12):34-39. |
| [2] | 杨涛.改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨[J].贵州化工,2009(03):7-11. |
| [3] | 侯彦青,谢刚,陶东平,俞小花,李荣兴,宋东明.SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的热力学[J].中国有色金属学报,2011(12):3202-3210. |
| [4] | 周齐领,张晓辉.电子级多晶硅生产中氯硅烷精馏工艺的设计和优化[J].化工设计,2010(03):11-13,27. |
| [5] | 梁骏吾.电子级多晶硅的生产工艺[J].中国工程科学,2000(12):34-39. |
| [6] | 梁培玉,王福生,宋兵魁,刘英华,张宝贵.磷化氢尾气催化分解为高纯磷的研究[J].天津化工,2004(04):31-33. |
| [7] | Yanqing Hou;Gang Xie;Dongping Tao .Thermodynamic Study on Zinc Reduction Process for Production of Polycrystalline Silicon[J].Journal of Chemical Engineering of Japan,2011(4/7):382-388. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%