欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.

参考文献

[1] Beaucarne G.CVD-Growth of Crystalline Si on amorphous or Microcrystalline Substrates 14th European PV Solar Engergy Conference[J].Barcelona,1997:1007.
[2] 万之坚;黄勇;李海峰 等.[J].稀有金属材料与工程,2003,32(Z1):525.
[3] 李海峰 .[J].稀有金属材料与工程,2003,32(Z1):537.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%