采用离子型化合物函数模型,对CdSia2多晶合成过程的反应焓、熵、Gibbs自由能以及化学平衡常数等热力学参数进行了计算,在1473 K合成CdSiP2多晶时,系统的焓变△rHT ＜0,熵增加值△rSr为负,Gibbs自由能△rGT=-29.68 kJ/mol,平衡常数KT=11.289.结果表明:在1473 K合成CdSiP2多晶,化合反应速率很大,反应充分,产物生成率高,系统趋于稳定.根据计算结果提供的温度1473 K进行CdSiP2多晶合成实验,获得了外观呈紫红色,完整致密的多晶锭,经X射线衍射和光电子能谱分析表明,合成产物为高纯、单相的CdSiP2多晶材料.采用合成的多晶料为原料进行单晶生长,获得了结晶性较好的CdSiP2单晶体.
参考文献
| [1] | Growth and characterization of large CdSiP_2 single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2010(8):p.1127. |
| [2] | Schunemann P G;Zawilski K T;Pollak T M.CdSiP2:a New Nonlinear Optical Crystal for 1 and 1.5-Micron-Pumped,Mid-IR Generation[J].Advanced Solid-State Photonics,2009:1-4. |
| [3] | Vohl P .Synthesis and Crystal Growth of CdG eP2[J].Journal ofElectronic Materials,1979,8(04):517-528. |
| [4] | Schlesinger M E .The Thermodynamic Properties of Phosphorus and Solid Binary Phosphides[J].Cheminformatics,2003,34(02):4267-4301. |
| [5] | Sudavtsova V. S.;Sych A. M. .THERMODYNAMIC ANALYSIS OF SELF-PROPAGATING REACTION OF ALKALINE- AND RARE-EARTH METAL OXIDE SYNTHESIS[J].Powder Metallurgy and Metal Ceramics,1999(9/10):45-51. |
| [6] | Sirota N N;Antyukhov A M;Smolyarenko E M. Dokl .ИССДЕДОВНЙЕ ТЕРМОЛИНАМИЧЕСКИХ СВЕЙСТВ СОЕЛИНЕНИЙ СИСТЕМь(I) С(d)-Р МЕТОЛОМ 3ЛЕКТРОЛИЖУШИХ ИЛ[J].Phys Chem (Engl ransl ),1974,219:1074. |
| [7] | 王玉芬.石英玻璃[M].北京:化学工业出版社,2007:283. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%