GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

功能材料, 2008, 39(3): 515-522.

GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

田彦宝 ^1, , 吉元 ^2, , 王俊忠 ^3, , 张隐奇 ^4, , 关宝璐 ^5, , 郭霞 ^6, , 沈光地 ^7,

1.北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022

2.北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022

3.北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022

4.北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022

5.北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022

6.北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022

7.北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022

基金项目: 国家自然科学基金(60171024) 北京市教委资助项目(200610005030)

关键词：电子背散射衍射(EBSD) , 微区应力 , GaAs-AlGaAs

Electron backscatter diffraction analysis of mirco-sized stress in the GaAs-AlGaAs epitaxial structure

采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.

参考文献

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