采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响.XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶.四探针电阻测试结果表明,随着退火温度的升高,硅基体和氧化铝基体上的硅钼薄膜其方阻逐渐降低,而石英玻璃基体上的硅钼薄膜其方阻却异常增大.
参考文献
[1] | Huang R;Jiang J et al.[J].Research and Progress of Solid State Electronics,2002,21:415. |
[2] | Sanchez J J;DeMassa T A .[J].Microelectronic Engineering,1993,20:211. |
[3] | Mann RW.;Agnello PD.;White FR.;Clevenger LA. .SILICIDES AND LOCAL INTERCONNECTIONS FOR HIGH-PERFORMANCE VLSI APPLICATIONS[J].IBM journal of research and development,1995(4):403-417. |
[4] | 马勤;康沫狂 .[J].中国钼业,1997,21:6. |
[5] | 严一心;林鸿海.薄膜技术术[M].北京:兵器工业出版社,1994:156. |
[6] | 王晓平,刘磊,胡海龙,张琨.原子力显微术轻敲模式中探针样品接触过程及相位衬度研究[J].物理学报,2004(04):1008-1014. |
[7] | 王力衡;黄运添;郑海涛.薄膜技术术[M].北京:清华大学出版社,1991:67. |
[8] | 王晓平;赵特秀;王顺喜 et al.[J].物理学报,1995,44(02):305. |
[9] | 范平,伍瑞锋,赖国燕.连续金属薄膜的电阻率研究[J].真空科学与技术学报,1999(06):445. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%