氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究

功能材料, 2005, 36(12): 1837-1838.

1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

2.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

3.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

4.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100;山东大学,国家晶体材料重点实验室,山东,济南,250100

5.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

6.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

基金项目: 教育部科学技术研究项目(Y2003A01) 中国科学院资助项目(10374060)

Study of n-type electrical conductivity in deuterated boron-doped diamond

室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.

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