在交流微弧氧化中,不同时段电参数的变化将影响氧化膜的生长及形态,过去对引起电参数变化的原因报道较少.以自制的交流电源对2A12铝合金进行微弧氧化,采用TASI676型测厚仪测试了不同微弧氧化时段氧化膜的厚度,采用JSM-5610LV型扫描电子显微镜(SEM)分析了氧化膜的表面形貌,并结合微弧氧化等效电路研究了电参数的变化及其原因.结果表明:在交流微弧氧化初始阶段(0～15 min),氧化膜表面形貌发生变化,形成了多孔结构氧化膜层;多孔结构氧化膜层中产生的气膜改变了膜层的电介质性质,气膜的击穿放电是导致微弧氧化过程中电参数发生变化的主要因素;电参数发生变化即为氧化膜快速生长阶段,适当调整电参数,可以获得理想的氧化膜.
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