旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

功能材料, 2004, 35(z1): 1436-1438.

旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

赵明磊 ^1, , 王增梅 ^2, , 袁多荣 ^3, , 王矜奉 ^4, , 王春雷 ^5, , 王渊旭 ^6, , 王晓颖 ^7,

1.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

2.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

3.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

4.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

5.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

6.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

7.山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

基金项目: 山东省自然科学基金(Z2003F04) 国家自然科学基金(50372034)

关键词： LGS晶体 , 旋转Y切 , 压电常数

Determination of piezoelectric constants of La3Ga5SiO14 crystal by rotated Y-cut

通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.

参考文献

[1]	Hiroaki S;Atsushi M .Surface Acoustics Wave Propagation Characteristics on a Langasite Crystal. Plate[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:3071-3073.
[2]	Takashi S et al.Characteristics of Surface Acoustic Waves Propagating on a La3Ga5SiO14 Substrate[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:3068-3070.
[3]	Bohm J.;Flannery C.;Frohlich HJ.;Hauke T.;Heimann RB. Hengst M.;Straube U.;Chilla E. .Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure: La3Ga5SiO14 (LGS), La3Ga5.5Nb0.5O14 (LCN) and La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT) II. Piezoelectric and elastic properties[J].Journal of Crystal Growth,2000(1/4):293-298.
[4]	Masatoshi A et al.Surface Acoustic Wave Properties of La3Ga5SiO14,(LANGASITE[J].Japanese Journal of Applied Physics,1999,38:3283-3287.

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Determination of piezoelectric constants of La3Ga5SiO14 crystal by rotated Y-cut

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