引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 896-899.

引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

冉均国 ^1, , 王灿丽 ^2, , 苟立 ^3, , 冉旭 ^4, , 苏葆辉 ^5, , 李德贵 ^6, , 廖晓明 ^7,

1.四川大学,四川,成都,610065

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基金项目: 国家自然科学基金(10275046)

关键词：金刚石薄膜 , 微波等离子体 , 二氧化碳 , 沉积速率

Improving Growth Rate of Diamond Film by the Addition of CO2

微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好,但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低,为此,本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率.研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响.其规律是随着碳源体积分数的增加,金刚石膜的沉积速率增加;随着压力的增加,生长速率呈现一个先增后减的趋势;随着功率的增加,也存在一个先增后降的趋势.研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大.综合各种因素,得到在H2+CH4+CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为:碳源体积分数为0.63%;C/O=1.086;功率为490 W;压力为5.33 kPa.引入CO2使沉积速率得到提高,为常规方法沉积速率的3倍左右,表明引入CO2.是一种提高沉积速率的有效方法.

参考文献

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