采用电沉积法在Ni基体上制备Cu膜.悬臂梁法在线测量沉积Cu膜后的Ni基片挠度,由测得的挠度值计算出Cu膜内的平均内应力和分布内应力.结果表明,Cu膜内的平均内应力和分布内应力均随膜厚的增加而急剧减小.膜内的界面应力很大,而生长应力很小.基于改进的Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论,对由于界面电子密度调整而引起的Cu膜内平均内应力作出了初步估算.结果表明,理论估算结果与实验结果较接近.这说明理论计算模型具有较高的准确性.
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