首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据.
Ternary phase diagrams for diamond film synthesis in carbon-hydrogen-chlorine (C-H-Cl) system are first calculated. The change trend of diamond growth region with substrate temperature and chlorine addition is studied. Our theoretical calculations agree w
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