采用坩埚下降法进行了太阳能电池用砷化镓晶体的生长研究.掺杂硅含量为万分之五可使砷化镓晶体的载流子浓度达到太阳能电池使用要求.孪晶是坩埚下降法生长砷化镓晶体遇到的主要缺陷.通过调节坩埚下降速度以及优化热场环境等手段,成功的获得了一根直径2英寸、长度约140 mm、成晶率接近100％的砷化镓单晶.晶体整体平均位错密度小于1000/cm2,载流子浓度在1.4 ～2.1×1018/cm3之间.
参考文献
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