纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池

功能材料, 2007, 38(10): 1741-1744.

纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池

张心强 ^1, , 张维佳 ^2, , 武美伶 ^3, , 贾士亮 ^4, , 刘浩 ^5, , 李国华 ^6,

1.北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

2.北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

3.北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

4.北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

5.北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

关键词：纳米硅 , 薄膜 , PECVD , HIT , 太阳能电池

Preparation of nc-Si∶H film and HIT solar cell

在较高工作气压(332.5～399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2～5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm2,25℃).

参考文献

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[4]	He Yuliang;Liu Xiangna;Wang Zhi chao.[J].Science in China(Series A),1992(09):995-1001.
[5]	钟立志;张维佳;崔敏等.[J].半导体光电,2005,26(07)
[6]	钟立志.纳米硅薄膜及其太阳电池的研制[M].北京:北京航空航天大学,2005
[7]	崔敏.一种HIT纳米硅薄膜太阳电池的研制[M].北京:北京航空航天大学,2006
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[12]	林鸿溢;武旭辉.[J].半导体技术,1995(05):54-56.

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