富Te条件下CdTe晶体中的点缺陷研究

人工晶体学报, 2014, 43(8): 1885-1890.

富Te条件下CdTe晶体中的点缺陷研究

刘惠敏 ^1, , 王涛 ^2, , 何亦辉 ^3, , 周岩 ^4, , 张昊 ^5, , 徐亚东 ^6, , 查钢强 ^7, , 介万奇 ^8,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

5.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

6.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

7.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

8.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

基金项目: 国家重大仪器设备科学仪器开发专项国家自然科学基金(50902114)

关键词：缺陷化学 , CdTe , 点缺陷 , 费米能级

Study on the Point Defects in Te-riched CdTe Crystals

Keywords： defect chemistry , CdTe , point defect , Fermi level

基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd).利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级.计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用.

参考文献

[1]	Scheiber C. .CdTe and CdZnTe detectors in nuclear medicine[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment,2000(3):513-524.
[2]	曾冬梅,周海,殷业财.CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究[J].人工晶体学报,2012(04):922-925.
[3]	俞鹏飞,介万奇.低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性[J].人工晶体学报,2010(01):21-24.
[4]	李宇杰 .Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体的缺陷研究及退火改性[D].西北工业大学,2001.
[5]	G. Yang;A.E. Bolotnikov;P.M. Fochuk;O. Kopach;J. Franc;E. Belas;K.H. Kim;G.S. Camarda;A. Hossain;Y. Cui;A.L. Adams;A. Radja;R. Pinder;R.B. James .Post-growth thermal annealing study of CdZnTe for developing room-temperature X-ray and gamma-ray detectors[J].Journal of Crystal Growth,2013(Sep.15):16-20.
[6]	K.H. Kim;J. Suh;A.E. Bolotnikov;P.M. Fochuk;O.V. Kopach;G.S. Camarda;Y. Cui;A. Hossain;G. Yang;J. Hong;R.B. James .Temperature-gradient annealing of CdZnTe under Te overpressure[J].Journal of Crystal Growth,2012(1):62-66.
[7]	Fiederle M.;Salk M.;Schwarz R.;Benz KW.;Stadler W.;Hofmann DM.;Meyer BK.;Eiche C. .Modified compensation model of CdTe[J].Journal of Applied Physics,1998(12):6689-6692.
[8]	Muren Chu;Sevag Terterian;David Ting;C. C. Wang;H. K. Gurgenian;Shoghig Mesropian .Tellurium antisites in CdZnTe[J].Applied physics letters,2001(17):2728-2730.
[9]	Muren Chu;Sevag Terterian;David Ting;C. C. Wang;J. D. Benson;J. H. Dinan;R. B. James;Arnold Burger .Effects of Excess Tellurium on the Properties of CdZnTe Radiation Detectors[J].Journal of Electronic Materials,2003(7):778-782.
[10]	P.FOCHUK;R.GRILL;O.PANCHUK .The Nature of Point Defects in CdTe[J].Journal of Electronic Materials,2006(6):1354-1359.
[11]	Grill R.;Franc J.;Hoschl P.;Turkevych I.;Belas E.;Moravec P. .Semi-insulating Te-saturated CdTe[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2005(5):1925-1931.
[12]	Berding MA. .Native defects in CdTe[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(12):8943-8950.

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