6H-SiC单晶中的蜷线

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z2): 184-186.

6H-SiC单晶中的蜷线

程基宽 ^1, , 高积强 ^2, , 刘军林 ^3, , 蒋仙 ^4, , 杨建峰 ^5, , 乔冠军 ^6,

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基金项目: 西安交通大学校科研和教改项目(DFXJTU2005-13) 国家自然科学基金(50672073)

关键词：蜷线 , 碳化硅 , 位错 , 生长机制

Helices in the 6H-SiC Single Crystal

用PVT法制备了6H-SiC.用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌.讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理.蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置.在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋.通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物.然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等.当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型).

参考文献

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