采用恒电流电化学技术直接在金属钼(Mo)或钨(W)片上制备了白钨矿钼酸盐、钨酸盐AMO4(A=Ba、Sr、BaxSr1-x、BaxSryCa1-x-y;M=W、Mo)晶态薄膜,制备时间分别为从薄膜开始生长到薄膜生长结束的不同时间间隔.利用场发射扫描电镜(FESEM)和电子能谱仪(EDX)等测试手段,分别对这些薄膜的生长特性进行了测试,并对测试结果进行了对比分析.结果表明,利用电化学技术制备白钨矿薄膜时,金属基片在不断的溶解;由于负离子配位多面体的沉积、构架和阳离子的不断填充,完成晶核的形成和晶粒的长大;随着时间的增加,光滑饱满的晶粒布满整个基片表面从而完成了薄膜的成膜过程;由于阳离子Ba2+、Sr2+、Ca2+填充速率依次降低,使得在沉积二元和三元薄膜时出现富钡现象.
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