氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

稀有金属材料与工程, 2006, 35(z2): 173-176.

氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

李军奇 ^1, , 罗发 ^2, , 朱冬梅 ^3, , 周万城 ^4,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50572090)

关键词：氮化硅 , 多孔陶瓷 , 微波介电性能

Study on the Microwave Dielectric Property of Porous Silicon Nitride Ceramics

通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷.采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度.用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性.结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能.

参考文献

[1]	Riley FL. .Silicon nitride and related materials [Review][J].Journal of the American Ceramic Society,2000(2):245-265.
[2]	Yang J F;Ohji T;Kanzaki S et al.[J].Journal of the American Ceramic Society,2002,85(06):1512.
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[4]	董文麟.氮化硅陶瓷[M].北京:中国建筑工业出版社,1987:105.
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[7]	Bruggeman D A .[J].Ann Der Phys,1935,24:636.
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Study on the Microwave Dielectric Property of Porous Silicon Nitride Ceramics

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