欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

采用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜,以ZnTe/ZnTe:Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe/CdS太阳电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7天后,发现电池性能无明显变化.经能量为1.6MeV,辐照剂量为1013~1015电子/cm2的电子束辐照后,电池性能有不同程度的衰降,经真空150℃退火30min后,电池性能恢复到接近辐照前的水平.

参考文献

[1] 王荣,周宏余,司戈丽,姚淑德,张新辉,郭增良,翟佐绪,王勇刚,朱升云.空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较[J].半导体学报,2002(01):49-52.
[2] 郑家贵,张静全,蔡伟,黎兵,蔡亚平,冯良桓.ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能[J].半导体学报,2001(02):171-176.
[3] 黎兵,蔡亚平,朱居木,郑家贵,蔡伟,冯良桓.CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究[J].四川大学学报(自然科学版),1999(03):497.
[4] 张静全,蔡伟,郑家贵,黎兵,孙小松,蔡亚平,冯良桓.CdTe太阳能电池研究进展[J].半导体光电,2000(02):88-92.
[5] 艾尔肯,郭旗,任迪远,余学峰,陆妩,严荣良.一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性[J].核技术,2003(09):697-699.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%