低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜

功能材料, 2004, 35(4): 429-431.

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜

刘力锋 ^1, , 陈诺夫 ^2, , 张富强 ^3, , 陈晨龙 ^4, , 李艳丽 ^5, , 杨少延 ^6, , 刘志凯 ^7,

1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

7.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(60176001) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365和G2002CB311905)

关键词：低能离子束 , 硅 , 铁磁性 , 磁性半导体

Magnetic Fe-Si alloy films prepared by low energy ion beam technique

利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.

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