AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

人工晶体学报, 2009, 38(2): 301-304.

AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

赵国栋 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 万书权 ^4, , 陈宝军 ^5, , 何知宇 ^6, , 王莹 ^7, , 龙勇 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

8.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20040610024)

关键词： AgGa1-xInxSe2 , 晶体生长 , 布里奇曼法 , 生长习性 , 实时补温技术

Study on the Growth Habits of AgGa1-xInxSe2 Crystals

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.

参考文献

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